买卖IC网 >> 产品目录 >> SIA483DJ-T1-GE3 MOSFET -30V 21mOhm@10V 12A P-Ch G-III datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIA483DJ-T1-GE3

库存数量：9000
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET -30V 21mOhm@10V 12A P-Ch G-III
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET -30V 21mOhm@10V 12A P-Ch G-III
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 - 30 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 - 12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 21 mOhms at 10 V
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SC-70-6L Single
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIA483DJ-T1-GE3
SIA511DJ-T1-E3
SIA511DJ-T1-GE3
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SIA513DJ-T1-GE3
SIA517DJ-T1-GE3
供应商
公司名
电话
深圳市硅宇电子有限公司 13424293654 唐先生
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北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645 吴
北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645 吴
东莞鼎岑科技有限公司 18925581989 莫
深圳廊盛科技有限公司 18682365538 严艺浦
深圳市杰世特电子有限公司 18927460633 林S
深圳市百域芯科技有限公司 400-666-5385 林S
  • SIA483DJ-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.484 0.484
    10 0.414 4.14
    100 0.358 35.8
    250 0.304 76
    3,000 0.234 701.9999
    6,000 0 0